PH3855L和PH3855L,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PH3855L PH3855L,115 PSMN030-60YS

描述 N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FETLFPAK N-CH 55V 24ANXP  PSMN030-60YS  晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 60 V, 19.1 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-669 Power-SO8 SOT-669

引脚数 - 5 4

极性 N-CH N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 24A 24A 29A

输入电容(Ciss) 765pF @25V(Vds) 765pF @25V(Vds) 686pF @30V(Vds)

额定功率(Max) 50 W 50 W -

针脚数 - - 4

漏源极电阻 - - 0.0191 Ω

耗散功率 - 50 W 56 W

阈值电压 - - 3 V

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 50W (Tc) 56 W

上升时间 - 93 ns -

下降时间 - 72 ns -

封装 SOT-669 Power-SO8 SOT-669

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4.1 mm 4.1 mm

高度 - 1.1 mm 1.1 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Exempt

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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