对比图
型号 PH3855L PH3855L,115 PSMN030-60YS
描述 N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FETLFPAK N-CH 55V 24ANXP PSMN030-60YS 晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 60 V, 19.1 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-669 Power-SO8 SOT-669
引脚数 - 5 4
极性 N-CH N-CH N-Channel
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 24A 24A 29A
输入电容(Ciss) 765pF @25V(Vds) 765pF @25V(Vds) 686pF @30V(Vds)
额定功率(Max) 50 W 50 W -
针脚数 - - 4
漏源极电阻 - - 0.0191 Ω
耗散功率 - 50 W 56 W
阈值电压 - - 3 V
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 50W (Tc) 56 W
上升时间 - 93 ns -
下降时间 - 72 ns -
封装 SOT-669 Power-SO8 SOT-669
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 4.1 mm 4.1 mm
高度 - 1.1 mm 1.1 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Exempt
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17