对比图
型号 STP9NK60Z 2SK2866(F) IRFB9N60APBF
描述 STMICROELECTRONICS STP9NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 600 V, 850 mohm, 10 V, 3.75 VTO-220AB N-CH 600V 10AN 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 3 - 3
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 125 W 125 W 170 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 3.50 A 10A 9.20 A
输入电容(Ciss) 1110pF @25V(Vds) 2040pF @10V(Vds) 1400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 125 W 125 W 170 W
耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc) 170 W
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 7.00 A - 9.20 A
通道数 1 - -
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.85 Ω - 0.75 Ω
阈值电压 3.75 V - 4 V
漏源击穿电压 600 V - 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
上升时间 17 ns - 25 ns
下降时间 15 ns - 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
额定功率 - - 170 W
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.4 mm - 10.41 mm
宽度 4.6 mm - 4.7 mm
高度 9.15 mm - 9.01 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Bulk Tube
最小包装 - - 50
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - -