对比图
型号 BSM150GAR120DN2 DF200R12KE3 BSM100GAR120DN2
描述 IGBT 晶体管 1200V 150A DUALTrans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1040000mW 5Pin 62MM TrayIGBT Transistors 1200V 100A DUAL
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管
安装方式 - Screw Screw
封装 IS6a ( 62 mm )-5 IS5a ( 62 mm )-5 IS6a ( 62 mm )-5
额定功率 - 1040 W -
耗散功率 1.25 kW 1.04 kW -
工作温度(Max) 150 ℃ 125 ℃ -
工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -
长度 106.4 mm 106.4 mm -
宽度 61.4 mm 61.4 mm -
高度 30 mm 30.9 mm -
封装 IS6a ( 62 mm )-5 IS5a ( 62 mm )-5 IS6a ( 62 mm )-5
工作温度 - -40℃ ~ 125℃ -
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free