对比图
型号 298E BSP299E6327 BSP324E6327
描述 Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 400V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PINMosfet n-Ch 500V 400mA Sot-223N-channel Sipmos Small-signal Transistor
数据手册 ---
制造商 Siemens Semiconductor (西门子) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 晶体管
安装方式 - Surface Mount -
引脚数 - 4 4
封装 SOT-223 SOT-223 SOT-223
额定电压(DC) - 500 V -
额定电流 - 400 mA -
输入电容 - 400 pF -
漏源极电压(Vds) - 500 V -
连续漏极电流(Ids) - 400 mA -
上升时间 - 15 ns 4.4 ns
输入电容(Ciss) - 400pF @25V(Vds) 103pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 1.8 W -
下降时间 - 30 ns 68 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 1800 mW 1800 mW
封装 SOT-223 SOT-223 SOT-223
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Contains Lead -