M48Z512A-70PM1和DS1250Y-70+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M48Z512A-70PM1 DS1250Y-70+ BQ4015YMA-70

描述 4兆位( 512千位×8 ) ZEROPOWER® SRAM 4 Mbit (512 Kbit x 8) ZEROPOWER? SRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1250Y-70+  芯片, 存储器, NVRAM512Kx8非易失SRAM 512Kx8 Nonvolatile SRAM

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Maxim Integrated (美信) TI (德州仪器)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 32

封装 DIP-32 EDIP-32 DIP-32

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V

供电电流 - - 50 mA

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 70.0 GHz

存取时间 70 ns 70 ns 70.0 ns

内存容量 4000000 B 500000 B 500000 B

存取时间(Max) 70 ns - 70 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V -

电源电压(Min) 4.75 V 4.5 V -

针脚数 - 32 -

封装 DIP-32 EDIP-32 DIP-32

长度 43.18 mm 44.2 mm -

宽度 18.8 mm 18.8 mm -

高度 9.52 mm 10.92 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司