对比图
型号 NGD18N40ACLBT4G NGD18N40CLBT4G
描述 ON SEMICONDUCTOR NGD18N40ACLBT4G 单晶体管, IGBT, 18 A, 1.8 V, 115 W, 400 V, TO-252, 3 引脚点火IGBT 18安培， 400伏 Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
无卤素状态 Halogen Free -
针脚数 3 -
耗散功率 115 W 115 W
击穿电压(集电极-发射极) 430 V 430 V
额定功率(Max) 115 W 115 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 115000 mW -
额定电压(DC) - 400 V
额定电流 - 18.0 A
上升时间 - 4.50 ns
高度 2.38 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99