对比图
型号 IRF5210PBF IXTA52P10P AUIRF5210STRL
描述 P 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK P-CH 100V 52A晶体管, MOSFET, P沟道, -38 A, -100 V, 0.06 ohm, -10 V, -4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-252-3
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.06 Ω - 60 mΩ
极性 P-CH P-CH P-CH
耗散功率 200 W 300 W 3.1 W
阈值电压 4 V - 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V - 100 V
连续漏极电流(Ids) 40A 52A 38A
上升时间 86 ns 29 ns 63 ns
输入电容(Ciss) 2700pF @25V(Vds) 2845pF @25V(Vds) 2780pF @25V(Vds)
下降时间 81 ns 22 ns 55 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200W (Tc) 300W (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc)
额定功率 200 W - -
通道数 1 - -
输入电容 2700 pF - -
额定功率(Max) 200 W - -
长度 10.54 mm - 6.5 mm
宽度 4.69 mm - 6.22 mm
高度 8.77 mm 4.83 mm 2.3 mm
封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-252-3
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -