对比图
型号 CY7C1414BV18-250BZC CY7C1414KV18-250BZCT CY7C1414KV18-250BZXI
描述 36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst ArchitectureSRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 1M x 36 0.45ns 165Pin FBGA T/R36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片存储芯片RAM芯片
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165 165
封装 LBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
针脚数 - - 165
位数 - 36 36
存取时间(Max) - 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
存取时间 0.45 ns - -
高度 0.89 mm - 0.89 mm
封装 LBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tray
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead 无铅
ECCN代码 - - 3A991