BAV 199 E6327和BAV199LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAV 199 E6327 BAV199LT1G

描述 INFINEON  BAV 199 E6327  二极管 小信号, AEC-Q101, 双隔离, 75 V, 200 mA, 1.1 V, 600 ns, 4.5 AON SEMICONDUCTOR  BAV199LT1G  二极管 小信号, 单对串联, 70 V, 215 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 二极管阵列二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 70.0 V 70.0 V

电容 2.00 pF 2.00 pF

额定功率 350 mW -

击穿电压 85.0 V -

针脚数 3 3

正向电压 1.25 V 1.25 V

反向恢复时间 1.5 µs 3 µs

正向电流 200 mA 215 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 4.5 A 500 mA

正向电压(Max) 1.1 V 1.25 V

正向电流(Max) 200 mA 215 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 330 mW 300 mW

额定电流 - 215 mA

无卤素状态 - Halogen Free

耗散功率 - 225 mW

工作温度(Min) - -65 ℃

工作结温(Max) - 150 ℃

长度 2.9 mm 3.04 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm

高度 1 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司