对比图
型号 SZMMBZ5V6ALT1G MMBZ5V6AL,215 MMBZ5V6ALT1G
描述 24W 双齐纳瞬态电压抑制器，ON SemiconductorSOT-23 双共阳极齐纳，用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备，如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。### 瞬态电压抑制器，On SemiconductorMMBZ10VAL 系列 3 V 210 pF 单向 双 ESD 保护 二极管 - SOT2324W 双齐纳瞬态电压抑制器，ON SemiconductorSOT-23 双共阳极齐纳，用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备，如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) - - 5.60 V
工作电压 3 V - 3 V
额定电流 - - 20.0 A
额定功率 - - 24.0 W
击穿电压 5.6 V - 5.32 V
通道数 2 - 2
针脚数 3 - 3
正向电压 - - 0.9 V
耗散功率 0.3 W - 300 mW
钳位电压 8 V 8 V 8 V
测试电流 20 mA - 20 mA
最大反向击穿电压 5.88 V - 5.88 V
脉冲峰值功率 24 W 24 W 24 W
最小反向击穿电压 5.32 V 5.32 V 5.32 V
击穿电压 - - 5.32 V
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃
耗散功率(Max) 300 mW - 300 mW
电容 - 280 pF -
电路数 - 2 -
长度 2.9 mm - 3.04 mm
宽度 1.3 mm - 1.4 mm
高度 0.94 mm 1 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TA) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99