PZM6.8NB1,115和PLVA2668A,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PZM6.8NB1,115 PLVA2668A,215 PZM6.8NB2A

描述 MPAK 6.6V 300mWTO-236AB 6.8V 0.25W(1/4W)Zener Diode

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 -

正向电压 1.1V @100mA 900mV @10mA -

耗散功率 300 mW 250 mW -

稳压值 6.8 V 6.8 V -

正向电压(Max) 1.1V @100mA 900mV @10mA -

额定功率(Max) 300 mW 250 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ -

容差 ±2 % - -

测试电流 5 mA - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 -

长度 3.1 mm - -

宽度 1.7 mm - -

高度 1.2 mm - -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -

温度系数 3 mV/K - -

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