对比图
型号 JANTXV2N6213 TIP111TU JANTX2N6213
描述 PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTORNPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Fairchild (飞兆/仙童) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-66 TO-220-3 TO-66
额定电压(DC) - 80.0 V -
额定电流 - 2.00 A -
额定功率 - 2 W -
极性 PNP NPN PNP
耗散功率 - 2 W 3 W
击穿电压(集电极-发射极) 350 V 80 V 350 V
集电极最大允许电流 2A 2A 2A
最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @1A, 4V 30 @1A, 5V
额定功率(Max) - 2 W 3 W
工作温度(Max) 200 ℃ 150 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3000 mW 50 W 3000 mW
长度 - 10.67 mm -
宽度 - 4.83 mm -
高度 - 16.51 mm -
封装 TO-66 TO-220-3 TO-66
工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ)
材质 Silicon - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tube Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Lead Free Contains Lead
ECCN代码 - EAR99 -