IXFN44N50U3和IXTN36N50

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFN44N50U3 IXTN36N50 IXFN48N50U2

描述 SOT-227B N-CH 500V 44AIXYS SEMICONDUCTOR  IXTN36N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 5 VTrans MOSFET N-CH 500V 48A 4Pin SOT-227B

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Chassis Chassis Chassis

引脚数 - 3 4

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

耗散功率 520W (Tc) 400 W 520W (Tc)

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

上升时间 - - 60 ns

输入电容(Ciss) 8400pF @25V(Vds) 8500pF @25V(Vds) 8400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 520 W - 520 W

下降时间 - - 30 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 520W (Tc) 400000 mW 520W (Tc)

极性 N-CH N-Channel -

连续漏极电流(Ids) 44A 36.0 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.12 Ω -

阈值电压 - 5 V -

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

材质 - - Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) - -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

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