对比图
型号 IXFH26N50P IXTH36N50P IXFH26N50Q
描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备IXYS SEMICONDUCTOR IXTH36N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 36 A, 500 V, 170 mohm, 10 V, 5 VIXYS SEMICONDUCTOR IXFH26N50Q 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 26 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 4.5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V
额定电流 26.0 A 36.0 A 26.0 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 230 mΩ 0.17 Ω 0.2 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 400 W 540 W 300 W
阈值电压 - 5 V 4.5 V
输入电容 3.60 nF 5.50 nF -
栅电荷 60.0 nC 85.0 nC -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 26.0 A 36.0 A 26.0 A
上升时间 25 ns 27 ns 30 ns
反向恢复时间 - 400 ns -
输入电容(Ciss) 3600pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 3900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 400 W 540 W 300 W
下降时间 20 ns 21 ns 16 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 400W (Tc) 540W (Tc) 300W (Tc)
漏源击穿电压 500 V - 500 V
通道数 - - 1
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 16.26 mm - 16.26 mm
宽度 5.3 mm - 5.3 mm
高度 21.46 mm - 21.46 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
重量 - - 6.00 g
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15