对比图
型号 JAN1N823-1 RH823-1 1N823A
描述 6.2与6.55伏温度补偿6.2和6.55伏温度补偿 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature CompensatedDO-7 6.2V 0.5W(1/2W)Zener Diode Temperature Compensated 5.9-6.5V 0.5W(1/2W) Do-7 Case 0.005 Tc
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) NTE Electronics
分类 齐纳二极管分立器件
安装方式 Through Hole Through Hole -
引脚数 2 2 -
封装 DO-204AH DO-7 -
耗散功率 500 mW 500 mW -
测试电流 7.5 mA 7.5 mA -
稳压值 6.2 V 6.2 V -
容差 ±5 % - -
额定功率(Max) 500 mW - -
工作温度(Max) 175 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
封装 DO-204AH DO-7 -
长度 4.44 mm - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bag - Bulk
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead - Lead Free