IXTN550N055T2和MMIX1T550N055T2

对比图

型号 IXTN550N055T2 MMIX1T550N055T2 1T5

描述 SOT-227B N-CH 55V 550AN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ GigaMOS™ 系列Power Field-Effect Transistor, 550A I(D), 55V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC PACKAGE-21

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 4 24 -

封装 SOT-227-4 SMPD-24 -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 940 W 830 W -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V -

连续漏极电流(Ids) 550A 550A -

上升时间 40 ns 40 ns -

输入电容(Ciss) 40000pF @25V(Vds) 40000pF @25V(Vds) -

下降时间 230 ns 230 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 940W (Tc) 830W (Tc) -

漏源极电阻 - 1.3 mΩ -

阈值电压 - 3.8 V -

漏源击穿电压 - 55 V -

封装 SOT-227-4 SMPD-24 -

长度 - 25.25 mm -

宽度 - 23.25 mm -

高度 - 5.7 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -