PMBF4393和PMBFJ113

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PMBF4393 PMBFJ113 PMBFJ113,215

描述 PMBF4393 N沟道结型场效应管 40v 5~30mA SOT-23 marking/标记 W6G 低功耗斩波器或开关PMBFJ113 P沟道结型场效应管 ±40 V 2 mA SOT-23 marking/标记 P13 高速开关/漏极和源极连接的互换性/在零电压/低导通电阻N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 JFET晶体管

基础参数对比

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

长度 - - 3 mm

宽度 - - 1.4 mm

高度 - - 1 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

击穿电压 - - -40.0 V

漏源极电阻 - - 100 Ω

耗散功率 - - 300 mW

漏源极电压(Vds) - - 40 V

击穿电压 - - 40 V

输入电容(Ciss) - - 6pF @10V(Vgs)

额定功率(Max) - - 300 mW

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

工作温度 - - 150℃ (TJ)

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司