JANTX2N6796U和JANTXV2N6796U

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N6796U JANTXV2N6796U

描述 Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.207ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18Trans MOSFET N-CH 100V 8A 18Pin LLCC

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类

基础参数对比

引脚数 18 18

封装 LLCC LLCC

安装方式 - -

输入电容(Ciss) 660pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 25000 mW 25000 mW

耗散功率 - -

漏源极电压(Vds) - -

上升时间 - -

封装 LLCC LLCC

产品生命周期 Active Active

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - -

工作温度 - -

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