对比图
型号 ULN2003ADR2G ULQ2003ADR2G ULN2003AD
描述 ON SEMICONDUCTOR ULN2003ADR2G. 达林顿晶体管 阵列, NPN, X7, 50V, 16-SOICNPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管TEXAS INSTRUMENTS ULN2003AD 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 16 16 16
封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -
输出接口数 7 7 7
针脚数 16 16 16
极性 NPN NPN NPN
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) 1000 @350mA, 2V 1000 -
输出电流(Max) 500 mA 500 mA 500 mA
直流电流增益(hFE) 1000 1000 600
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) -20 ℃ -40 ℃ -20 ℃
额定电压(DC) - - 50.0 V
额定电流 - - 500 mA
输出电流 500 mA - 500 mA
耗散功率 - - 25 W
驱动器/包 - - 7
输出电压 50 V - -
通道数 7 - -
最大电流放大倍数(hFE) 1000 - -
输入电压 30 V - -
长度 - 10 mm 9.9 mm
宽度 4 mm 4 mm 3.91 mm
高度 - 1.75 mm 1.58 mm
封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16
工作温度 -20℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -20℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/12/17
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99