IRF2903Z和IRF2903ZPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF2903Z IRF2903ZPBF BUK7E2R7-30B

描述 TO-220AB N-CH 30V 260AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。Power Field-Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Nexperia (安世)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-220 TO-220-3 -

额定功率 - 290 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0024 Ω -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 - 290 W -

阈值电压 - 4 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

连续漏极电流(Ids) 260A 260A -

上升时间 - 100 ns -

输入电容(Ciss) - 6320pF @25V(Vds) -

下降时间 - 37 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 290W (Tc) -

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 4.83 mm -

高度 - 16.51 mm -

封装 TO-220 TO-220-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Rail, Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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