CAT24C16WI-G和M24C16-RMN6TP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CAT24C16WI-G M24C16-RMN6TP CAT24C16WI-GT3

描述 ON SEMICONDUCTOR  CAT24C16WI-G.  芯片, 存储器, EEPROM, 16KB, 串行口, 400KHZ, SOIC-8M24C16 系列 16 Kb (2K x 8) 1.8 V SOIC-8 串行I2C EEPROM 工业级温度 卷盘包装ON SEMICONDUCTOR  CAT24C16WI-GT3  EEPROM, 16 Kbit, 2K x 8位, 100 kHz, I2C, 串行, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 EEPROM芯片EEPROM芯片EEPROM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

频率 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz

电源电压(DC) 1.70V (min) - 1.70V (min)

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

供电电流 2 mA 1 mA 2 mA

针脚数 8 8 8

时钟频率 400 kHz 400 kHz 100 kHz

存取时间 900 ns 900 ns 900 ns

内存容量 2000 B - 2000 B

存取时间(Max) 900 ns 900 ns 900 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 5.5V 1.8V ~ 5.5V 1.7V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 1.7 V 1.8 V 1.7 V

工作电压 - 1.8V ~ 5.5V 1.7V ~ 5.5V

长度 5 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 4 mm 3.9 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.25 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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