对比图
型号 JAN1N5811 JANTXV1N5807
描述 Diode Switching 150V 6A 2Pin Case G-112军事审批，效率高， 2.5安培和6.0 AMP MILITARY APPROVED, HIGH EFFICIENCY, 2.5 AMP AND 6.0 AMP
数据手册 --
制造商 Semtech Corporation Microsemi (美高森美)
分类 TVS二极管TVS二极管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 2 2
封装 G-112 B, Axial
正向电压 - 875mV @4A
反向恢复时间 30 ns 30 ns
正向电压(Max) - 875mV @4A
正向电流(Max) - 6 A
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
正向电流 - -
封装 G-112 B, Axial
长度 - -
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
军工级 - Yes