对比图
型号 IXFK21N100F IXFN24N100 APT10050LVRG
描述 IXYS RF IXFK21N100F 晶体管, 射频FET, 1 kV, 21 A, 500 W, 500 kHz, TO-264IXYS SEMICONDUCTOR IXFN24N100 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 1 kV, 390 mohm, 10 V, 5.5 VTO-264 N-CH 1000V 21A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 晶体管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Screw Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-264-3 SOT-227-4 TO-264
额定电压(DC) - 1.00 kV 1.00 kV
额定电流 - 24.0 A 21.0 A
通道数 - 1 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 500 mΩ 0.39 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 500 W 600 W 520 W
阈值电压 5 V 5.5 V -
漏源极电压(Vds) 1 kV 1 kV 1.00 kV
漏源击穿电压 - 1000 V -
连续漏极电流(Ids) 21.0 A 24.0 A 21.0 A
上升时间 16 ns 35 ns 13 ns
隔离电压 - 2.50 kV -
输入电容(Ciss) 5500pF @25V(Vds) 8700pF @25V(Vds) 6600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 568 W -
下降时间 - 21 ns 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500W (Tc) 568000 mW 520000 mW
输入电容 - - 7.90 nF
栅电荷 - - 500 nC
长度 - 38.23 mm -
宽度 - 25.42 mm -
高度 - 9.6 mm -
封装 TO-264-3 SOT-227-4 TO-264
材质 - Silicon -
重量 - 40.0 g -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -