对比图
型号 TLE2021AID TLE2021CD MC33171DR2G
描述 Excalibur TLE 系列### 运算放大器，Texas InstrumentsExcalibur TLE 系列MC33171/2/4，MCV33172，低功率，单电源 3 V 至 44 V，运算放大器，ON SemiconductorMC33171（单路），MC33172（双路），MC33174（四路） 低电源电流：每个放大器 180 μA 宽带宽：1.8 MHz 高转换速率：2.1 V/μs 低输入偏置电压：2 mV NCV33172 适用于汽车应用；符合 AEC-Q100 ### 运算放大器，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)
分类 运算放大器运算放大器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
无卤素状态 - - Halogen Free
输出电流 ≤20 mA ≤20 mA 5 mA
供电电流 240 µA 240 µA 220 µA
电路数 1 1 1
针脚数 - 8 8
共模抑制比 85 dB 85 dB 90 dB
带宽 1.2 MHz 1.2 MHz 1.8 MHz
转换速率 500 mV/μs 500 mV/μs 2.10 V/μs
增益频宽积 1.2 MHz 1.2 MHz 1.8 MHz
输入补偿电压 80 µV 150 µV 2 mV
输入偏置电流 25 nA 25 nA 20 nA
工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -40 ℃
增益带宽 2 MHz 2 MHz 1.8 MHz
共模抑制比(Min) 85 dB 85 dB 80 dB
电源电压 - - 3V ~ 44V
电源电压(DC) - 40.0 V -
工作电压 - 4V ~ 40V -
通道数 1 1 -
耗散功率 0.725 W 725 mW -
输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K -
耗散功率(Max) 725 mW 725 mW -
电源电压(Max) 40 V 40 V -
电源电压(Min) 4 V 4 V -
长度 4.9 mm 4.9 mm 5 mm
宽度 3.91 mm 3.91 mm 4 mm
高度 1.58 mm 1.58 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - - EAR99