对比图
型号 IRFB42N20DPBF STP40NF20 IRFZ14PBF
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.055Ω; ID 44A; TO-220AB; PD 330W; VGS +/-30VSTMICROELECTRONICS STP40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 200 V, 38 mohm, 10 V, 3 V功率MOSFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 200 V 200 V 60.0 V
额定电流 44.0 A 40.0 A 10.0 A
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 0.055 Ω 0.038 Ω 0.2 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.4 W 160 W 43 W
阈值电压 - 3 V 2 V
输入电容 3430pF @25V 2.50 nF -
栅电荷 - 75.0 nC -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 60 V
漏源击穿电压 200 V 200 V 60.0 V
连续漏极电流(Ids) 44.0 A 25.0 A, 40.0 A 10.0 A
上升时间 69.0 ns 44 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 3430pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.4 W 160 W 43 W
下降时间 - 22 ns 19 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 160W (Tc) 43 W
产品系列 IRFB42N20D - -
热阻 0.45℃/W (RθJC) - -
长度 10.54 mm 10.4 mm 10.41 mm
宽度 - 4.6 mm 4.7 mm
高度 15.24 mm 15.75 mm 9.01 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
最小包装 - - 50
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -