BC848C-7-F和BC849C-TP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC848C-7-F BC849C-TP BCW33LT1G

描述 DIODES INC.  BC848C-7-F  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 600 hFEMICRO COMMERCIAL COMPONENTS  BC849C-TP  双极性晶体管, NPN, 30VDC, SOT-23ON SEMICONDUCTOR  BCW33LT1G  单晶体管 双极, NPN, 32 V, 300 mW, 100 mA, 420 hFE

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Micro Commercial Components (美微科) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - - 32.0 V

额定电流 - - 100 mA

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 300 mW 225 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 32 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 800 @2mA, 5V - 800

额定功率(Max) 300 mW 225 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 600 420 420

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 225 mW 300 mW

频率 300 MHz - -

增益频宽积 300 MHz - -

长度 3.05 mm - 2.9 mm

宽度 1.4 mm - 1.3 mm

高度 0.98 mm - 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active End of Life Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2016/06/20

军工级 Yes - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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