MTP3N55和MTP3N60E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MTP3N55 MTP3N60E

描述 N-CH 650V 3ATO-220 N-CH 600V 3A

数据手册 --

制造商 New Jersey Semiconductor ON Semiconductor (安森美)

分类

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

封装 - TO-220

极性 N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 650 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 3A 3A

封装 - TO-220

产品生命周期 Unknown Unknown

RoHS标准 - -

含铅标准 - -

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