FQPF9N50C和FQPF9N50T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQPF9N50C FQPF9N50T STF10NK50Z

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET??????? 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS  STF10NK50Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 500 V, 550 mohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 9.00 A 5.30 A 9.00 A

漏源极电阻 800 mΩ 730 mΩ 550 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 44 W 50W (Tc) 30 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 9.00 A 5.30 A 4.50 A

输入电容(Ciss) 1030pF @25V(Vds) 1450pF @25V(Vds) 1219pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 44 W 50 W 30 W

耗散功率(Max) 44 W 50W (Tc) 30W (Tc)

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 3.75 V

上升时间 - - 17 ns

下降时间 - - 15 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 4.6 mm

高度 - - 16.4 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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