2N5877和JANTXV2N6648

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5877 JANTXV2N6648 2N6650

描述 Bipolar Transistors - BJT NPN TransistorTO-3 PNP 40V 10A达林顿晶体管 PNP Pwr Darlington

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-3 TO-3 TO-3-2

耗散功率(Max) 150000 mW 5000 mW -

极性 - PNP PNP

耗散功率 - 5 W 100 W

击穿电压(集电极-发射极) - 40 V 80 V

集电极最大允许电流 - 10A 10A

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

最小电流放大倍数(hFE) - - 1000

封装 TO-3 TO-3 TO-3-2

长度 - - 39.36 mm

宽度 - - 26.67 mm

高度 - - 11.43 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tray Sleeve

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

ECCN代码 - EAR99 -

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