对比图
型号 TLV2422AQD TLV2422CD TLV2422AID
描述 高级LinCMOSE轨到轨输出，宽输入电压微功耗双运算放大器 Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE MICROPOWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERSLINCMOS满量程输出,微功耗双路运放高级LinCMOSE轨到轨输出，宽输入电压微功耗双运算放大器 Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE MICROPOWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
供电电流 100 µA 100 µA 100 µA
电路数 2 2 2
通道数 2 2 2
耗散功率 - 725 mW 725 mW
共模抑制比 - 70 dB 70 dB
输入补偿漂移 1.80 µV/K 2.00 µV/K 1.80 µV/K
带宽 52.0 kHz 52.0 kHz 52.0 kHz
转换速率 20.0 mV/μs 20.0 mV/μs 20.0 mV/μs
增益频宽积 52 kHz 0.052 MHz 52 kHz
输入补偿电压 300 µV 300 µV 300 µV
输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA
工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) - 0 ℃ -40 ℃
增益带宽 52 kHz 0.052 MHz 0.052 MHz
耗散功率(Max) - 725 mW 725 mW
共模抑制比(Min) - 70 dB 70 dB
输出电流 - ≤50 mA -
长度 - 4.9 mm 4.9 mm
宽度 - 3.91 mm 3.91 mm
高度 - 1.58 mm 1.58 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free