DF04S和KBP106G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DF04S KBP106G MBL108S-M3/I

描述 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, DFS, 4PinBridge Rectifiers 1A 800V 30A IFSMBridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 800V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MBLS, 4Pin

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Vishay Intertechnology

分类

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

封装 - KBP-4 -

长度 - 15.24 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 11.68 mm -

封装 - KBP-4 -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司