SIB411DK-T1-GE3和SIB455EDK-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SIB411DK-T1-GE3 SIB455EDK-T1-GE3 SIB411DK-T1-E3

描述 MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6LMOSFET P-CH 12V 9A SC-75-6MOSFET 20V 9A 13W 66mohm @ 4.5V

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 - -

封装 SC-75-6L SC-75-6L PowerPAK-SC75-6

极性 P-Channel - -

耗散功率 2.4W (Ta), 13W (Tc) 13 W 2.4W (Ta), 13W (Tc)

漏源极电压(Vds) 20 V 12 V 20 V

连续漏极电流(Ids) -9.00 A - -

输入电容(Ciss) 470pF @10V(Vds) - 470pF @10V(Vds)

耗散功率(Max) 2.4W (Ta), 13W (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc)

下降时间 - 3.2 µs -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 SC-75-6L SC-75-6L PowerPAK-SC75-6

长度 - 1.6 mm 1.6 mm

宽度 - 1.6 mm 1.6 mm

高度 - 0.75 mm 0.75 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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