BUK101-50GS和BUK101-50GS,127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK101-50GS BUK101-50GS,127 BTS133

描述 功率MOS晶体管TOPFET PowerMOS transistor TOPFETTO-220AB N-CH 50V 29ASmart Lowside Power Switch (Logic Level Input Input Protection ESD Thermal Shutdown Overload protection)

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Siemens Semiconductor (西门子)

分类 MOS管FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-220 TO-220-3 -

额定电压(DC) 50.0 V - -

额定电流 29.0 A - -

极性 N-CH N-CH -

漏源极电压(Vds) 50 V 50 V -

连续漏极电流(Ids) 29A 29A -

输出接口数 - 1 -

输出电流(Max) - 29 A -

封装 TO-220 TO-220-3 -

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

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