BUZ73ALHXKSA1和BUZ73L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUZ73ALHXKSA1 BUZ73L BUZ31HXKSA1

描述 TO-220 N-CH 200V 5.5ASIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorTO-220 N-CH 200V 14.5A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 200 V -

额定电流 - 7.00 A -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 400 mΩ -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 40W (Tc) 40 W 95W (Tc)

输入电容 - 840 pF -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 - 200 V -

连续漏极电流(Ids) 5.5A 7.00 A 14.5A

上升时间 60 ns 60 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 840pF @25V(Vds) 840pF @25V(Vds) 1120pF @25V(Vds)

下降时间 40 ns 40 ns 60 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 40W (Tc) 40W (Tc) 95W (Tc)

长度 - 10 mm -

宽度 - 4.4 mm -

高度 - 15.65 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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