对比图
型号 BUZ73ALHXKSA1 BUZ73L BUZ31HXKSA1
描述 TO-220 N-CH 200V 5.5ASIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorTO-220 N-CH 200V 14.5A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 200 V -
额定电流 - 7.00 A -
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 400 mΩ -
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 40W (Tc) 40 W 95W (Tc)
输入电容 - 840 pF -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 - 200 V -
连续漏极电流(Ids) 5.5A 7.00 A 14.5A
上升时间 60 ns 60 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 840pF @25V(Vds) 840pF @25V(Vds) 1120pF @25V(Vds)
下降时间 40 ns 40 ns 60 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 40W (Tc) 40W (Tc) 95W (Tc)
长度 - 10 mm -
宽度 - 4.4 mm -
高度 - 15.65 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free