对比图
型号 BC846B BC846BWT1G BC846BLT1G
描述 NPN通用晶体管 NPN general purpose transistorsNPN 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管ON SEMICONDUCTOR BC846BLT1G. 单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 290 hFE
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23 SC-70-3 SOT-23-3
频率 - 100 MHz 100 MHz
额定电压(DC) - 65.0 V 65.0 V
额定电流 - 100 mA 100 mA
无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free
针脚数 - 3 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 250 mW 150 mW 300 mW
增益频宽积 - 100 MHz 100 MHz
击穿电压(集电极-发射极) - 65 V 65 V
集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 200 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V
额定功率(Max) - 150 mW 225 mW
直流电流增益(hFE) 290 100 200
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 150 mW 300 mW
额定功率 - - 300 mW
最大电流放大倍数(hFE) - - 450
长度 - 2.2 mm 2.9 mm
宽度 - 1.24 mm 1.3 mm
高度 - 0.9 mm 0.94 mm
封装 SOT-23 SC-70-3 SOT-23-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99