IRLZ34NSTRLPBF和STB36NF06LT4

对比图

型号 IRLZ34NSTRLPBF STB36NF06LT4 IRLZ34SPBF

描述 MOSFET MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7NC LogLvlSTMICROELECTRONICS  STB36NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 1 VD2PAK N-CH 60V 30A

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 3.8 W 70 W 3.7 W

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30.0 A 30A

上升时间 - 80 ns 170 ns

输入电容(Ciss) 880pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds) 1600pF @25V(Vds)

下降时间 - 13 ns 56 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 70W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc)

漏源极电阻 35 Ω 0.032 Ω -

产品系列 IRLZ34NS - -

阈值电压 2 V 1 V -

额定功率(Max) 3.8 W 70 W -

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 30.0 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

输入电容 - 660 pF -

栅电荷 - 17.5 nC -

漏源击穿电压 - 60 V -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 9.35 mm -

高度 - 4.6 mm -

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -