TLC251CD和TLC251CDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC251CD TLC251CDR AD8627ARZ

描述 LinCMOS 运算放大器### 运算放大器,Texas Instruments运算放大器 - 运放 LinCMOS Prog Low-PowerAnalog Devices

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ADI (亚德诺)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 16.0 V - 13.0 V

供电电流 950 µA 950 µA 710 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

针脚数 8 - 8

耗散功率 725 mW 0.725 W -

共模抑制比 65 dB 65 dB 66 dB

输入补偿漂移 1.80 µV/K 1.80 µV/K -

带宽 1.7 MHz 1.70 MHz 5 MHz

转换速率 4.00 V/μs 4.00 V/μs 5.00 V/μs

增益频宽积 1.7 MHz 2.2 MHz 5 MHz

输入补偿电压 1.1 mV 1.1 mV 350 µV

输入偏置电流 0.7 pA 0.7 pA 0.25 pA

工作温度(Max) 70 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - -40 ℃

增益带宽 2.2 MHz 2.2 MHz 5 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW -

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 66 dB

电源电压 1.4V ~ 16V - 5V ~ 26V

电源电压(Max) 16 V - 26 V

电源电压(Min) 1.4 V - 5 V

输出电流 - - 10mA @5V

输入阻抗 - - 1.00 TΩ

长度 4.9 mm - 5 mm

宽度 3.91 mm - 4 mm

高度 1.58 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

军工级 - - No

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台