ULN2003AIDE4和ULN2003AIDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ULN2003AIDE4 ULN2003AIDR ULN2004ADR

描述 高电压,大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYSTEXAS INSTRUMENTS  ULN2003AIDR  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, SOICTEXAS INSTRUMENTS  ULN2004ADR  晶体管阵列

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 16 16 16

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

额定电压(DC) - 50.0 V 50.0 V

额定电流 - 500 mA 500 mA

针脚数 - 16 16

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

驱动器/包 7 7 7

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

工作温度(Max) 105 ℃ 105 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -20 ℃

宽度 - 3.91 mm 3.91 mm

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

工作温度 -40℃ ~ 105℃ (TA) -40℃ ~ 105℃ (TA) -20℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2014/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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