对比图
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPF33N25T 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 250 V, 94 mohm, 10 V, 5 VN 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 94 W 25 W
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V
连续漏极电流(Ids) 20.0 A 8.50 A
上升时间 - 17.2 ns
输入电容(Ciss) 2135pF @25V(Vds) 1000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 37 W 25 W
下降时间 - 8.8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 37W (Tc) 25W (Tc)
额定电压(DC) 250 V -
额定电流 20.0 A -
针脚数 3 -
漏源极电阻 94 mΩ -
阈值电压 5 V -
输入电容 2.13 nF -
栅电荷 48.0 nC -
漏源击穿电压 250 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V -
长度 10.36 mm 10.4 mm
宽度 4.9 mm 4.6 mm
高度 16.07 mm 16.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 -
香港进出口证 NLR -