FDPF33N25T和STF17NF25

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDPF33N25T STF17NF25

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDPF33N25T  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 250 V, 94 mohm, 10 V, 5 VN 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 94 W 25 W

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V

连续漏极电流(Ids) 20.0 A 8.50 A

上升时间 - 17.2 ns

输入电容(Ciss) 2135pF @25V(Vds) 1000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 37 W 25 W

下降时间 - 8.8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 37W (Tc) 25W (Tc)

额定电压(DC) 250 V -

额定电流 20.0 A -

针脚数 3 -

漏源极电阻 94 mΩ -

阈值电压 5 V -

输入电容 2.13 nF -

栅电荷 48.0 nC -

漏源击穿电压 250 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V -

长度 10.36 mm 10.4 mm

宽度 4.9 mm 4.6 mm

高度 16.07 mm 16.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 -

香港进出口证 NLR -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台