IRFR3704Z和IRFR3704ZPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR3704Z IRFR3704ZPBF IRFR3704ZTR

描述 DPAK N-CH 20V 60AN 通道功率 MOSFET 60A 至 79A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。MOSFET N-CH 20V 60A DPAK

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252

额定功率 - 48 W -

漏源极电阻 - 0.0084 Ω -

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 - 48 W 48.0 W

阈值电压 - 2.1 V -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 60A 60A 60.0 A

输入电容(Ciss) - 1190pF @10V(Vds) 1190pF @10V(Vds)

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 48W (Tc) -

额定电压(DC) - - 20.0 V

额定电流 - - 60.0 A

漏源击穿电压 - - 20.0 V

上升时间 - - 8.90 ns

额定功率(Max) - - 48 W

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.39 mm -

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 - Rail, Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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