IRFE9230和JANTX2N6851U

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFE9230 JANTX2N6851U JANTX2N6851

描述 Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC-18LLCC P-CH 200V 4ATrans MOSFET P-CH 200V 4A 3Pin TO-39

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

基础参数对比

引脚数 18 18 3

封装 LLCC LLCC TO-39

耗散功率 - - 25000 mW

漏源极电压(Vds) - 200 V 200 V

输入电容(Ciss) 700pF @25V(Vds) 700pF @25V(Vds) 700pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 25000 mW 25000 mW 25000 mW

极性 - P-CH -

连续漏极电流(Ids) - 4A -

上升时间 - 100 ns -

下降时间 - 80 ns -

高度 - - 4.54 mm

封装 LLCC LLCC TO-39

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - - Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 125℃ -

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