STW21NM60N和STW24N60M2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STW21NM60N STW24N60M2 STW22NM60N

描述 N沟道600 V - 0.17 Ω - 17 A TO - 220 - TO- 220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.17 Ω - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh? Power MOSFETN 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 17.0 A - -

通道数 1 - -

漏源极电阻 190 mΩ 0.168 Ω 0.2 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 140 W 150 W 125 W

输入电容 1.95 nF - -

栅电荷 66.6 nC - -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V - -

栅源击穿电压 ±25.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 17.0 A 18A 16A

上升时间 15 ns 9 ns -

输入电容(Ciss) 1900pF @50V(Vds) 1060pF @100V(Vds) 1330pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 140 W 150 W 125 W

下降时间 31 ns - 38 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 140W (Tc) 150W (Tc) 125W (Tc)

阈值电压 - 3 V 3 V

针脚数 - 3 -

长度 15.75 mm 15.75 mm 15.75 mm

宽度 5.15 mm 5.15 mm 5.15 mm

高度 20.15 mm 20.15 mm 20.15 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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