对比图
型号 2SK2403 FQB3N40TM STD2NC45-1
描述 N-Channel Silicon MOSFETN沟道 400V 2.5AN沟道450 V， 4.1 Ω ， 1.5 A ， IPAK超网？功率MOSFET N-channel 450 V, 4.1 Ω, 1.5 A, IPAK SuperMESH? Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Sanyo Semiconductor (三洋) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Through Hole
引脚数 - - 3
封装 - TO-263-3 TO-251-3
漏源极电阻 - 3.4 Ω 4.1 Ω
极性 - N-CH N-Channel
耗散功率 - 3.13 W 30 W
漏源极电压(Vds) - 400 V 450 V
连续漏极电流(Ids) - 2.50 A 1.50 A
上升时间 - 40 ns 4 ns
输入电容(Ciss) - 230pF @25V(Vds) 160pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 3.13 W 30 W
下降时间 - 25 ns 12 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 3.13W (Ta), 55W (Tc) 30W (Tc)
额定电压(DC) - 400 V -
额定电流 - 2.50 A -
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 400 V -
封装 - TO-263-3 TO-251-3
长度 - 10.67 mm -
宽度 - 9.65 mm -
高度 - 4.83 mm -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99