BZV55-C2V4和TZMC2V4-GS08

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55-C2V4 TZMC2V4-GS08 1N5221C-TAP

描述 齐纳二极管 500mW,BZV55 系列,NexperiaNXP 500mW 表面安装 (SMT) 齐纳二极管,具有较宽的击穿电压范围。### 齐纳二极管,Nexperia500mW,TZM 系列,Vishay SemiconductorVishay 的表面安装 (SMT) 齐纳二极管额定值为 500mW,击穿电压范围从 3.3 至 75V### 齐纳二极管,Vishay SemiconductorDIODE 2.4V, 0.5W(1/2W), SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

封装 MiniMELF SOD-80 DO-35-2

引脚数 2 2 -

容差 - ±5 % ±2 %

正向电压 - 1.5V @200mA 1.1V @200mA

耗散功率 - 500 mW 500 mW

测试电流 5 mA 5 mA 20 mA

稳压值 2.4 V 2.4 V 2.4 V

额定功率(Max) - 500 mW 500 mW

工作温度(Max) 200 ℃ 175 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW -

额定功率 - 0.5 W -

击穿电压 - 2.40 V -

长度 3.7 mm 3.7 mm 3.9 mm

宽度 1.6 mm 1.6 mm 1.7 mm

高度 1.6 mm 1.6 mm 1.7 mm

封装 MiniMELF SOD-80 DO-35-2

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ 175 ℃

温度系数 -1.6 mV/℃ - -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Ammo Pack

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free 无铅

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -

ECCN代码 - EAR99 -

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