对比图
型号 IS61WV12816DBLL-10TLI IS61WV12816DBLL-10TLI-TR CY7C1011DV33-10ZSXIT
描述 RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 2M-Bit 128K x 16 10ns 44Pin TSOP-II T/RCY7C1011DV33 系列 2 Mb (128 K x 16) 3.3 V 10 ns 静态RAM - TSOP-44
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 44 44 44
封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44
供电电流 65 mA - 90 mA
位数 16 16 16
存取时间 10 ns 10 ns 10 ns
存取时间(Max) 10 ns 10 ns 10 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V
电源电压(Max) 3.6 V - -
电源电压(Min) 2.4 V - -
电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.60 V (max)
针脚数 - - 44
时钟频率 - - 10.0 GHz
内存容量 - - 2000000 B
长度 18.54 mm - -
宽度 10.29 mm - -
高度 1.05 mm - -
封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅 Lead Free
ECCN代码 EAR99 - 3A991.b.2.b