对比图
型号 IRF7832PBF NTMFS4935NT1G IRF7832TRPBF
描述 INFINEON IRF7832PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 4 mohm, 10 V, 2.32 VN 通道功率 MOSFET，30V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorINFINEON IRF7832TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 0.0031 ohm, 10 V, 2.32 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
通道数 1 1 -
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.004 Ω 0.0027 Ω 0.0031 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 2.5 W 48 W 2.5 W
阈值电压 2.32 V 1.63 V 2.32 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
上升时间 6.7 ns 20 ns 6.7 ns
输入电容(Ciss) 4310pF @15V(Vds) 4850pF @15V(Vds) 4310pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 930 mW 2.5 W
下降时间 13 ns 6.6 ns 13 ns
工作温度(Max) 155 ℃ 150 ℃ 155 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 930mW (Ta), 48W (Tc) 2.5W (Ta)
额定功率 2.5 W - 2.5 W
输入电容 4310 pF - 4310 pF
连续漏极电流(Ids) 20A - 20A
正向电压(Max) - - 1 V
漏源击穿电压 30 V - -
长度 5 mm 5.1 mm 5 mm
宽度 4 mm 6.1 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.1 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 155℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 155℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 2015/12/17