CY7C1046CV33-10VC和CY7C1046DV33-10VXI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1046CV33-10VC CY7C1046DV33-10VXI GS74104AGJ-10T

描述 1M ×4静态RAM 1M x 4 Static RAM4兆位( 1M ×4 ),静态RAM 4-Mbit (1M x 4) Static RAMStandard SRAM, 1MX4, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-32

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) GSI

分类 RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 32 32

封装 SOJ BSOJ-32 SOJ

长度 - - 20.93 mm

宽度 - - 10.16 mm

封装 SOJ BSOJ-32 SOJ

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) -

供电电流 - 90 mA -

时钟频率 - 10.0 GHz -

位数 - 4 -

存取时间 - 10 ns -

内存容量 - 4000000 B -

存取时间(Max) - 10 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

电源电压 - 3V ~ 3.6V -

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 3 V -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -

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