2N6341和JANTXV2N6284

对比图

型号 2N6341 JANTXV2N6284 2N6340

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORt-Npn Si-Pwr Amp Sw ; Rohs Compliant: Yes

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) NTE Electronics

分类 双极性晶体管晶体管分立器件

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-3 TO-3 -

极性 - NPN -

耗散功率 200 W 175 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 100 V -

集电极最大允许电流 - 20A -

工作温度(Max) 175 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 200000 mW 175000 mW -

封装 TO-3 TO-3 -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tray -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

材质 Silicon - -