MBM29LV650UE90TN和S29GL064M90TCIR12

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MBM29LV650UE90TN S29GL064M90TCIR12 S29GL064M90TCIR13

描述 FLASH MEMORY CMOS 64M (4M x 16) BIT256,128,64,32,Megabit 3V-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 μm MirrorBit Process Technology3V-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology

数据手册 ---

制造商 Fujitsu (富士通) Spansion (飞索半导体) Spansion (飞索半导体)

分类

基础参数对比

封装 TSOP1 TSOP1 TSOP1

封装 TSOP1 TSOP1 TSOP1

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

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