BD136-10和BD13610

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD136-10 BD13610

描述 PNP硅晶体管 PNP SILICON TRANSISTORS中功率线性和开关应用 Medium Power Linear and Switching Applications

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 - TO-126

极性 - PNP

击穿电压(集电极-发射极) - 45 V

集电极最大允许电流 - 1.5A

封装 - TO-126

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 Tube, Rail -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

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